КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXGN50N120C3H1

IXGN50N120C3H1, Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXGN50N120C3H1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 50A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Power dissipation: 460W
    • Pulsed collector current: 240A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: PT