IXGN50N120C3H1, Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXGN50N120C3H1
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Ic: 50А; SOT227B; винтами; винтами; 460Вт; GenX3™,PT Технические параметры
- Case: SOT227B
- Collector current: 50A
- Collector-emitter voltage: 1.2kV
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Manufacturer: IXYS
- Module type: IGBT
- Mounting: screw
- Power dissipation: 460W
- Pulsed collector current: 240A
- Semiconductor structure: single transistor
- Technology: PT
Документация
tmixgn50n120c3h1.pdf