КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXGN400N60B3

IXGN400N60B3, Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1кВт; GenX3™,PT, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXGN400N60B3
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1кВт; GenX3™,PT
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1кВт; GenX3™,PT Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 200A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Power dissipation: 1kW
    • Pulsed collector current: 1.5kA
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: PT