КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXBN42N170A

IXBN42N170A, Ic: 21А; SOT227B; винтами; винтами; 313Вт; BiMOSFET™, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXBN42N170A
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 21А; SOT227B; винтами; винтами; 313Вт; BiMOSFET™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 21А; SOT227B; винтами; винтами; 313Вт; BiMOSFET™ Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 21A
    • Collector-emitter voltage: 1.7kV
    • Electrical mounting: screw
    • Features of semiconductor devices: high voltage
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Power dissipation: 313W
    • Pulsed collector current: 265A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: BiMOSFET™