КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1, 3-level NPC2; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А; винтами, Infineon

Арт:
FF200R12KT3EHOSA1, 3-level NPC2; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А; винтами, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF200R12KT3EHOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: 3-level NPC2; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    3-level NPC2; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А; винтами Технические параметры
    • Case: AG-62MM-1
    • Collector current: 200A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Topology: 3-level NPC2
    • Мощность: 1.05kW