КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTDF400R12KE3HOSA1

DF400R12KE3HOSA1, Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:400А; P:2кВт; Ifsm:800А, Infineon

Арт:
DF400R12KE3HOSA1, Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:400А; P:2кВт; Ifsm:800А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: DF400R12KE3HOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:400А; P:2кВт; Ifsm:800А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:400А; P:2кВт; Ifsm:800А Технические параметры
    • Case: AG-62MM-1
    • Collector current: 400A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: Infineon
    • Max. forward impulse current: 800A
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Semiconductor structure: diode/transistor
    • Topology: brake chopper
    • Мощность: 2kW