Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:300А; P:1,6кВт; Ifsm:600А; винтами Технические параметры
- Collector current: 300A
- Electrical mounting: под пайку
- Gate - emitter voltage: ±20В
- Housing: AG-62MM-1
- Manufacturer: Infineon
- Max. forward impulse current: 600A
- Modular: IGBT
- Module type: IGBT
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Operating temperature: -40...150°C
- Package: AG-62MM-1
- Semiconductor structure: транзистор/транзистор
- Topology: полумост IGBT
- Мощность: 1.6kW