КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А, Infineon

Арт:
FF200R12KE3HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF200R12KE3HOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А Технические параметры
    • Collector current: 200A
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate - emitter voltage: ±20В
    • Housing: AG-62MM-1
    • Manufacturer: Infineon
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Modular: IGBT
    • Module type: IGBT
    • Mount: винтами
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Package: AG-62MM-1
    • Semiconductor structure: транзистор/транзистор
    • Topology: полумост IGBT
    • Мощность: 1.05kW