КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G, MICROSEMI

Арт:
APT35GN120L2DQ2G, MICROSEMI
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: TO264MAX
    • Collector current: 46A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 220нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 379W
    • Pulsed collector current: 105A
    • Technology: Field Stop
    • Turn-off time: 465ns
    • Turn-on time: 46ns
    • Type of transistor: IGBT