Модуль: IGBT; 248А; SEMITRANS3; 1,7кВ; винтами; Ifsm:1170А Технические параметры
- Case: SEMITRANS3
- Collector current: 248A
- Electrical mounting: винтами
- Gate - emitter voltage: ±20В
- Housing: SEMITRANS3
- Manufacturer: SEMIKRON
- Max. forward impulse current: 1170A
- Modular: IGBT
- Module type: IGBT
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- Off state voltage max.: 1.7kV
- Operating temperature: -40...150°C
- Semiconductor structure: диод/транзистор
- Topology: тормозной транзистор