КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKM100GAL17E4

SKM100GAL17E4, Модуль: IGBT; 127А; SEMITRANS2; 1,7кВ; винтами; Ifsm:650А, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM100GAL17E4
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 127А; SEMITRANS2; 1,7кВ; винтами; Ifsm:650А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 127А; SEMITRANS2; 1,7кВ; винтами; Ifsm:650А Технические параметры
    • Case: SEMITRANS2
    • Collector current: 127A
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate - emitter voltage: ±20В
    • Housing: SEMITRANS2
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Max. forward impulse current: 650A
    • Modular: IGBT
    • Module type: IGBT
    • Mount: винтами
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.7kV
    • Operating temperature: -40...150°C
    • Semiconductor structure: диод/транзистор
    • Topology: тормозной транзистор