Модуль: диодно-тиристорный; 1,8кВ; If:181А; винтами; Y4-M6 Технические параметры
- Case: Y4-M6
- Electrical mounting: винтами
- Forward current: 181A
- Forward voltage max.: 1.25V
- Gate current: 200mA
- Housing: Y4-M6
- Load current: 181A
- Manufacturer: IXYS
- Max. forward impulse current: 5.1kA
- Max. forward voltage: 1.25V
- Modular: диодно-тиристорный
- Module type: diode-thyristor
- Mount: винтами
- Mounting: screw
- Off state voltage max.: 1.8kV
- Semiconductor structure: диод / тиристор
