КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTTD250N12KOF

TD250N12KOF, Модуль: диодно-тиристорный; 1,2кВ; If:410А; винтами; BG-PB50-1, Infineon

Арт:
TD250N12KOF, Модуль: диодно-тиристорный; 1,2кВ; If:410А; винтами; BG-PB50-1, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TD250N12KOF
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модуль: диодно-тиристорный; 1,2кВ; If:410А; винтами; BG-PB50-1
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: диодно-тиристорный; 1,2кВ; If:410А; винтами; BG-PB50-1 Технические параметры
    • Case: BG-PB50-1
    • Electrical mounting: винтами
    • Forward current: 410A
    • Forward voltage max.: 1.5V
    • Gate current: 200mA
    • Housing: BG-PB50-1
    • Load current: 410A
    • Manufacturer: Infineon
    • Max. forward impulse current: 8kA
    • Max. forward voltage: 1.5V
    • Modular: диодно-тиристорный
    • Module type: diode-thyristor
    • Mount: винтами
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: диод / тиристор