КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKM100GB12T4G

SKM100GB12T4G, Модуль: IGBT; 118А; SEMITRANS3; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM100GB12T4G
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 118А; SEMITRANS3; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 118А; SEMITRANS3; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами Технические параметры
    • Case: SEMITRANS3
    • Collector current: 118A
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Housing: SEMITRANS3
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Max. forward impulse current: 300A
    • Modular: IGBT
    • Module type: IGBT
    • Mount: винтами
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Semiconductor structure: транзистор/транзистор
    • Topology: полумост IGBT