КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTMG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM, Модуль: IGBT; 150А; 1,1кВт; package D; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами, Littelfuse

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MG12150D-BA1MM
  • Производитель: Littelfuse
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 150А; 1,1кВт; package D; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 150А; 1,1кВт; package D; 1,2кВ; Ifsm:300А; винтами Технические параметры
    • Manufacturer: Littelfuse
    • Корпус: package D
    • Монтаж: винтами
    • Мощность: 1.1кВт
    • топология: полумост IGBT
    • Тип модуля: IGBT
    • Ток коллектора: 150А
    • Рабочая температура: -40...150°C
    • Импульсный ток: 300А
    • Конструкция диода: транзистор/транзистор
    • Электрический монтаж: винтами
    • Обратное напряжение макс.: 1.2кВ
    • Напряжение затвор - эмиттер: ±20В