КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B, MICROSEMI

Арт:
APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT75GP120JDQ3
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 57A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Max. forward impulse current: 300A
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -55...150°C
    • Power dissipation: 543W
    • Pulsed collector current: 300A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: POWER MOS 7®
    • Мощность: 543W