КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPTGL475U120DAG

APTGL475U120DAG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; SP6C; винтами, MICROSEMI

Арт:
APTGL475U120DAG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; SP6C; винтами, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APTGL475U120DAG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; SP6C; винтами
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 475А; SP6C; винтами Технические параметры
    • Case: SP6C
    • Collector current: 475A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: IGBT
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Pulsed collector current: 800A
    • Semiconductor structure: diode/transistor
    • Technology: Trench
    • Topology: single transistor + series diode