КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B, MICROSEMI

Арт:
APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT75GN120JDQ3
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B Технические параметры
    • Application: SMPS
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 57A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: IGBT
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Pulsed collector current: 225A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: Trench