APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT35GP120J
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B Технические параметры
- Case: SOT227B
- Collector current: 29A
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mechanical mounting: screw
- Module type: IGBT
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Pulsed collector current: 140A
- Semiconductor structure: single transistor
- Technology: PT
