КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTAPT200GN60J

APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B, MICROSEMI

Арт:
APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT200GN60J
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B Технические параметры
    • Application: motors
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 158A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: IGBT
    • Off state voltage max.: 600V
    • Pulsed collector current: 600A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: Trench