КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKM100GAL12T4

SKM100GAL12T4, Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:123А; Ifsm:550А; винтами, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM100GAL12T4
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:123А; Ifsm:550А; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Тормозной транзистор; Urmax:1,2кВ; Ic:123А; Ifsm:550А; винтами Технические параметры
    • Collector current: 123A
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate - emitter voltage: ±20В
    • Housing: SEMITRANS2
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Max. forward impulse current: 550A
    • Modular: IGBT
    • Module type: IGBT
    • Mount: винтами
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Package: SEMITRANS2
    • Semiconductor structure: диод/транзистор
    • Topology: тормозной транзистор