КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTSTGW39NC60VD

STGW39NC60VD, Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 250Вт; TO247, STM

Арт: 301-70-669
STGW39NC60VD, Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 250Вт; TO247, STM
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-70-669
  • Наименование: STGW39NC60VD
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 250Вт; TO247
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 250Вт; TO247 Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 80A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.4V
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 600V
    • Continuous Collector Current (Ic): 80A
    • Emitter Leakage Current: 100nA
    • Gate Emitter Voltage (Vge): 20V
    • Height Units: 3
    • Housing: TO247
    • Manufacturer: STM
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-247
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 250W
    • Transistor type: IGBT
    • Мощность: 250W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 600V