КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыRFP50N06

RFP50N06, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 60В; 50А; 131Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-398
RFP50N06, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 60В; 50А; 131Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-398
  • Наименование: RFP50N06
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 60В; 50А; 131Вт; TO220
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: TO220
    • Continuous Drain Current (Id): 50A
    • Drain current: 50A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 60V
    • Fall Time: 13ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 3
    • Housing: TO220
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 22mΩ
    • On-State Resistance: 22MΩ
    • Operating Temperature Max.: 175°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-220
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power Dissipation (Pd): 131W
    • Reflow Temperature Max.: 300°C
    • Rise Time: 55ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Transistor type: МОП n-канальный
    • Turn-OFF Delay Time: 37ns
    • Turn-ON Delay Time: 12ns
    • Мощность: 131W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 22mΩ
    • Ток стока: 50A