КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXTQ82N25P

IXTQ82N25P, MOSFET N, 250 V 82 A 500 W TO-3P, IXYS

Арт: 171-11-092
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-11-092
  • Наименование: IXTQ82N25P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 250 V 82 A 500 W TO-3P
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N, 250 V 82 A 500 W TO-3P Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 82A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 250V
    • Fall Time: 22ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 38mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-3P
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 300W
    • Rise Time: 20ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 78ns
    • Turn-ON Delay Time: 29ns