КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXTP1R4N100P

IXTP1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 63Вт; TO220-3; 750нс, IXYS

Арт: 171-31-392
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-392
  • Наименование: IXTP1R4N100P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 63Вт; TO220-3; 750нс
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 63Вт; TO220-3; 750нс Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Manufacturer: IXYS
    • Варианты: Режим усиления
    • Ток стока: 1.4 А
    • Полярность: N
    • Тип корпуса: TO-220
    • Рабочая температура: -55...150 °C
    • Время восстановления: 750 nstyp
    • Сопротивление включения: 11 Ω
    • Питающее напряжение стока: 1000 В
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура, макс.: 150 °C
    • Рассеяние мощности: 63 Вт