КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXTA1N100P

IXTA1N100P, Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1А; 50Вт; TO263; 750нс, IXYS

Арт: 171-31-388
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-388
  • Наименование: IXTA1N100P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1А; 50Вт; TO263; 750нс
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1А; 50Вт; TO263; 750нс Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Manufacturer: IXYS
    • Варианты: Режим усиления
    • Ток стока: 1.0 А
    • Полярность: N
    • Тип корпуса: TO-263
    • Рабочая температура: -55...150 °C
    • Время восстановления: 750 nstyp
    • Сопротивление включения: 15 Ω
    • Питающее напряжение стока: 1000 В
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура, макс.: 150 °C
    • Рассеяние мощности: 50 Вт