Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы
Силовые HiPerFET(TM) MOП-транзисторы теперь доступны в Q классе. Благодаря новой микросхеме для данной серии была реализована низкая емкость линии. Таким образом, транзистор может быть переключен на высоких частотах с низкой производительностью привода.
Высокопроизводительные MOП-транзисторы с диодами с накоплением заряда
Предназначены для низкой dv/dt чувствительности во время коммутации по току
Для конфигурации моста с индуктивной нагрузкой не требуются внешние возвратные диоды Технические параметры
- Continuous Drain Current (Id): 80A
- Drain-Source Voltage (Vds): 500V
- Fall Time: 27ns
- Gate-Source Voltage: 20V
- Height Units: 4
- Manufacturer: IXYS
- Mounting Type: SMD
- ON Resistance (Rds(on)): 55mΩ
- Operating Temperature Max.: 150°C
- Operating Temperature Min.: -55°C
- Package Type: SOT-227B
- Phases: Single
- Power Dissipation (Pd): 780W
- Rise Time: 70ns
- Transistor Polarity: N-Channel
- Turn-OFF Delay Time: 102ns
- Turn-ON Delay Time: 61ns
