Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы
Силовые HiPerFET™ MOП-транзисторы теперь доступны в Q классе. Благодаря новой микросхеме для данной серии была реализована низкая емкость линии. Таким образом, транзистор может быть переключен на высоких частотах с низкой производительностью привода.
Высокопроизводительные MOП-транзисторы с диодами с накоплением заряда
Предназначены для низкой dv/dt чувствительности во время коммутации по току
Для конфигурации моста с индуктивной нагрузкой не требуются внешние возвратные диоды Технические параметры
- Manufacturer: IXYS
- Варианты: Режим усиления
- Ток стока: 36 А
- Полярность: N
- Тип корпуса: SOT-227B
- Рабочая температура: -55...150 °C
- Время восстановления: 180 nstyp
- Сопротивление включения: 0.24 Ω
- Питающее напряжение стока: 1000 В
- Рабочая температура, мин.: -55 °C
- Рабочая температура, макс.: 150 °C
- Рассеяние мощности: 700 Вт
