КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFN120N20

IXFN120N20, MOSFET N, 200 V 120 A 600 W SOT-227B, IXYS

Арт: 171-31-362
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-362
  • Наименование: IXFN120N20
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 200 V 120 A 600 W SOT-227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N, 200 V 120 A 600 W SOT-227B Технические параметры
    • Manufacturer: IXYS
    • MOSFET, Type: IXFN120N20, Continuous Drain Current (Id)=120 A, Drain-Source Voltage (Vds)=200 V, Fall Time=40 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON