IXTT30N60P, Транзистор: N-MOSFET; 600В; 30А; 540Вт; TO268; 500нс, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTT30N60P
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; 600В; 30А; 540Вт; TO268; 500нс
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Case: TO268
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 30A
- Drain-source voltage: 600V
- Features of semiconductor devices: standard power mosfet
- Gate charge: 82нКл
- Kind of package: tube
- Manufacturer: IXYS
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 0.24Ω
- Power dissipation: 540W
- Reverse recovery time: 500ns
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tmixth(q,t,v)30n60p_s.pdf
