КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности J-FETNTE457

NTE457, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 3мА; 310мВт; TO92; Igt: 10мА, NTE

Арт: 171-03-059
NTE457, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 3мА; 310мВт; TO92; Igt: 10мА, NTE
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-03-059
  • Наименование: NTE457
  • Производитель: NTE
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 3мА; 310мВт; TO92; Igt: 10мА
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 3мА; 310мВт; TO92; Igt: 10мА Семейство Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Технические параметры
    • Breakdown Voltage: -25V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 25V
    • Gate-Source Cutoff Voltage Max. (Vgs(off)): -6V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: NTE
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Package Type: TO-92
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 310mW
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Transistor Polarity: N-Channel