КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности J-FETUJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S, SiC Normally-On JFET 1.2kV 35mOhm TO-247-3L, UNITED SILICON CARBIDE

Арт: 301-51-484
UJ3N120035K3S, SiC Normally-On JFET 1.2kV 35mOhm TO-247-3L, UNITED SILICON CARBIDE
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-51-484
  • Наименование: UJ3N120035K3S
  • Производитель: UNITED SILICON CARBIDE
  • Доп.наименование: SiC Normally-On JFET 1.2kV 35mOhm TO-247-3L
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    SiC Normally-On JFET 1.2kV 35mOhm TO-247-3L Технические параметры
    • Breakdown Voltage: 1.2kV
    • Closing Resistance: 35mΩ
    • Continuous Drain Current (Id): 63A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 1.2kV
    • Gate-Source Cutoff Voltage Max. (Vgs(off)): 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: UNITED SILICON CARBIDE
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 175°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-247-3L
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 429W
    • Reflow Temperature Max.: 250°C
    • Transistor Polarity: N-Channel