КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности J-FETMMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G, Junction FET SOT-23 N channel, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 300-50-411
MMBF4393LT1G, Junction FET SOT-23 N channel, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-50-411
  • Наименование: MMBF4393LT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Junction FET SOT-23 N channel
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Junction FET SOT-23 N channel Технические параметры
    • Breakdown Voltage: 30V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 30V
    • Gate-Source Cutoff Voltage Max. (Vgs(off)): -3V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 225mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Transistor Polarity: N-Channel