КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPMZB200UNEYL

PMZB200UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 900мА; Idm: 5А; SOT883B, NEXPERIA

Арт:
PMZB200UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 900мА; Idm: 5А; SOT883B, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMZB200UNEYL
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 900мА; Idm: 5А; SOT883B
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 900мА; Idm: 5А; SOT883B Технические параметры
    • Case: SOT883B
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 900mA
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate charge: 2.7нКл
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 410mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: 5A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: N-MOSFET