КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPMZ1000UN,315

PMZ1000UN,315, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт, NEXPERIA

Арт:
PMZ1000UN,315, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMZ1000UN,315
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт Технические параметры
    • Case: SOT883
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 480mA
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate charge: 890пКл
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 350mW
    • Pulsed drain current: 1.8A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: N-MOSFET