КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPMV37EN2R

PMV37EN2R, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,8А; Idm: 16А; SOT23, NEXPERIA

Арт:
PMV37EN2R, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,8А; Idm: 16А; SOT23, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMV37EN2R
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,8А; Idm: 16А; SOT23
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,8А; Idm: 16А; SOT23 Технические параметры
    • Case: SOT23
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.8A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate charge: 6.3нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 56mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: 16A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: N-MOSFET