КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPMN20ENAX

PMN20ENAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 4,4А; Idm: 25А, NEXPERIA

Арт:
PMN20ENAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 4,4А; Idm: 25А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMN20ENAX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 4,4А; Idm: 25А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 4,4А; Idm: 25А Технические параметры
    • Case: TSOP6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 4.4A
    • Drain-source voltage: 40V
    • Gate charge: 17нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 44mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: 25A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: N-MOSFET