КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPHB47NQ10T.118

PHB47NQ10T.118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 33А; Idm: 187А; 166Вт; D2PAK, NEXPERIA

Арт:
PHB47NQ10T.118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 33А; Idm: 187А; 166Вт; D2PAK, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PHB47NQ10T.118
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 33А; Idm: 187А; 166Вт; D2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 33А; Idm: 187А; 166Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 33A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 66нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 28mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 166W
    • Pulsed drain current: 187A
    • Type of transistor: N-MOSFET