КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 87А; Idm: 900А; 68Вт; DFN5, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NVMFS6H818NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 87А; Idm: 900А; 68Вт; DFN5, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NVMFS6H818NT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 87А; Idm: 900А; 68Вт; DFN5
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 87А; Idm: 900А; 68Вт; DFN5 Технические параметры
    • Case: DFN5
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 87A
    • Drain-source voltage: 80V
    • Gate charge: 46нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 3.7mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 68W
    • Pulsed drain current: 900A
    • Type of transistor: N-MOSFET