КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AFGB40T65SQDN
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK Технические параметры
    • Application: automotive industry
    • Case: D2PAK
    • Collector current: 40A
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 76нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 119W
    • Pulsed collector current: 160A
    • Type of transistor: IGBT