КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиPSMN011-80YS.115

PSMN011-80YS.115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт; SOT669, NEXPERIA

Арт:
PSMN011-80YS.115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт; SOT669, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PSMN011-80YS.115
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт; SOT669
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт; SOT669 Технические параметры
    • Case: SOT669
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 47A
    • Drain-source voltage: 80V
    • Gate charge: 45нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 11mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 117W
    • Pulsed drain current: 266A
    • Type of transistor: N-MOSFET