КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиNVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NVMFS5C430NLAFT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6 Технические параметры
    • Case: DFN5x6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 140A
    • Drain-source voltage: 40V
    • Gate charge: 32нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.4mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 53W
    • Pulsed drain current: 900A
    • Type of transistor: N-MOSFET