КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOB66916L

AOB66916L, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 35,5А; 8,3Вт; D2PAK, AOS

Арт:
AOB66916L, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 35,5А; 8,3Вт; D2PAK, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOB66916L
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 35,5А; 8,3Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 35,5А; 8,3Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 35.5A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 78нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: AOS
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 3.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 8.3W
    • Technology: AlphaSGT™
    • Type of transistor: N-MOSFET