КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиP8B10SB-5071

P8B10SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 8А; Idm: 24А; 20Вт, SHINDENGEN

Арт:
P8B10SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 8А; Idm: 24А; 20Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P8B10SB-5071
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 8А; Idm: 24А; 20Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: FB (TO252AA)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 8A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 16.5нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 94mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 20W
    • Pulsed drain current: 24A
    • Technology: EETMOS3
    • Type of transistor: N-MOSFET