P2B60HP2F-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 2А; Idm: 8А; 35Вт, SHINDENGEN
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: P2B60HP2F-5071
- Производитель: SHINDENGEN
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 2А; Idm: 8А; 35Вт
- Склад:
Технические параметры
- Case: FB (TO252AA)
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 2A
- Drain-source voltage: 600V
- Gate charge: 6.8нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Kind of package: tape
- Manufacturer: SHINDENGEN
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 4.2Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 35W
- Pulsed drain current: 8A
- Technology: Hi-PotMOS2
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tm_shindengen catalogue 2020.pdf