КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиP1B52HP2-5071

P1B52HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт, SHINDENGEN

Арт:
P1B52HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P1B52HP2-5071
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 1А; Idm: 4А; 35Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: FB (TO252AA)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 1A
    • Drain-source voltage: 520V
    • Gate charge: 4.3нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 7.2Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 35W
    • Pulsed drain current: 4A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET