КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиP19LA10SL-5070

P19LA10SL-5070, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 19А; Idm: 57А; 83Вт; LA, SHINDENGEN

Арт:
P19LA10SL-5070, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 19А; Idm: 57А; 83Вт; LA, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P19LA10SL-5070
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 19А; Idm: 57А; 83Вт; LA
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: LA
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 19A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 38нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 35mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 83W
    • Pulsed drain current: 57A
    • Technology: EETMOS3
    • Type of transistor: N-MOSFET