КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиP0R5B60HP2-5071

P0R5B60HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А, SHINDENGEN

Арт:
P0R5B60HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P0R5B60HP2-5071
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А Технические параметры
    • Case: FB (TO252AA)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 500mA
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 4.3нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 10Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 35W
    • Pulsed drain current: 2A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET