КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SIDR626DP-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А Технические параметры
    • Case: PowerPAK® SO8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate charge: 102нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.6mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 80W
    • Pulsed drain current: 200A
    • Technology: TrenchFET®
    • Type of transistor: N-MOSFET
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >