КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTPW1R306PL,L1Q(M

TPW1R306PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8, Toshiba

Арт:
TPW1R306PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TPW1R306PL,L1Q(M
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8 Технические параметры
    • Case: DSOP8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 260A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 2.3mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 170W
    • Pulsed drain current: 500A
    • Type of transistor: N-MOSFET