КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиTPN6R003NL,LQ(S

TPN6R003NL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 56А; Idm: 116А; 32Вт; TSON8, Toshiba

Арт:
TPN6R003NL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 56А; Idm: 116А; 32Вт; TSON8, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: TPN6R003NL,LQ(S
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 56А; Idm: 116А; 32Вт; TSON8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 56А; Idm: 116А; 32Вт; TSON8 Технические параметры
    • Case: TSON8
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 56A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 8.3mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 32W
    • Pulsed drain current: 116A
    • Type of transistor: N-MOSFET